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        Cucl3溶液成分及操作條件對蝕刻速度的影響

          (1)蝕刻液中cl-濃度對蝕刻速度的影響:在酸性CuCl2蝕刻液中,cu2和cu+都是以絡離子狀態存在于蝕刻液中。銅由于具有不完傘的d-軌道電子殼,所以它足一個很好的絡合物形成體。一般情況下,可形成四個配位鍵。當蝕刻液中含有大量的cl-時,cu2+是以四氯絡銅([CuCl4]2)的形式存在.cu2足以三氯絡銅([cucl3]2)的形式存牲。兇此蝕刻液的配制和再生都需要大量的cl參與反麻。同時cl濃度對蝕刻速度同樣有直接關系,c1濃度高有利于各種銅絡離子的形成,加速了蝕刻過程。
            cl-濃度對蝕刻速度的影響如圖5-14所示。從圖5-14中可出,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6mol鹽酸的蝕刻液中蝕刻速度是在水溶液巾的三倍,并且還能提高溶銅量。但是鹽酸濃度不可超過6mol。高于6mol的鹽酸濃度隨酸度增加。由于同離子效應,使CuCI2溶解度迅速降低,同時高酸度的蝕刻液也會造成對設備腐蝕性增大。

            添加CL可以提高蝕刻速度的原因足:在cucL2溶液中發牛銅的蝕刻反應時,生成的cu2c12不易溶于水.則在銅的表面形成一層cucl膜,這種膜能阻止蝕刻過程的進一步進行。這時過量的cl能與cu2cL2絡臺形成可溶性的[cucl3]2-從銅的表而溶解下求,從而提高了蝕刻速度。
           
            (2)cu+含量對蝕刻速度的影響:隨著蝕刻過程的進行,溶液中Cu+濃度會逐漸增大。少量的Cu+就能明顯減慢蝕刻速度。如在每升120g cu2+蝕刻液中有4gcu+就會顯著降低蝕刻速度。所以在蝕刻過程中要保持cu+的含量在一個較低的濃度范圍內。并要盡呵能快地使cu。氧化成cu“,也正兇為這樣,才使得酸性cucl:的蝕刻液的普遍使用受到一定跟制。
            在生產實踐中控制cu‘裱度,如采作邋常使用的化學分析法,顯然對于蝕刻液中cu’低濃度的嚴格控制是難于做到的,但通進電位拄制法就很容易解決。根據條思特方程式
            E=E.+(O 059/n)1就cu“‘】/[cu’】
        式中:£為指定濃度下的電極電位;E。為標準電極電位;n為得失電子數;[cu‘’】為二價銅離子濃度;[cu‘]為亞銅離子濃度。
            從以卜方程可以看出,氧化一還原電位E與[cu“]/[cu’]的比值有J)∈。圖5—15表明溶液中cu’濃度與氧化一還原電位之問的相互關系。
            從圖5一15中可以看出,隨著溶液中cu‘濃度的不斷升高,氧化一還原電位不斷下

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